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                              • 林信南

                              • 職稱:副教授
                              • 電話:0755-26032486;辦公室:A-322
                              • Email:xnlin@pkusz.edu.cn
                              研究方向:半導體器件(目前主要集中于CMOS器件、存儲器件、功率器件)的結構、電路模型及電路仿真工具。

                              導師與研究領域、方向:

                                  林信南:半導體器件方向,國家973 A類課題負責人、深圳市首批基礎研究杰出青年、深圳市海外高層次孔雀計劃B類人才。

                                  1997年本科畢業于北京大學,并留校在微電子學研究所任助理工程師。1999年公派赴香港科技大學進修,2007年獲香港科大微電子專業博士并返回北京大學深圳研究生院任講師,2010年晉升副教授。

                                  已發表Sci/Ei收錄論文130余篇,其中二十余篇發表在以IEEE TED、EDL為代表的國際電子器件領域頂級期刊上。獲國際會議邀請報告多次,并受邀撰寫2本專著章節。申請發明專利數十項并已獲多項授權。提出雙金屬柵無結器件的文章曾于2015年進入ESI全球工程領域前1%高被引文章名單。 曾榮獲2009年度深圳市創新獎高校類第一名,個人排名第二,第二屆廣東省“金博獎”創新突出貢獻獎等。在校內曾獲北京大學優秀班主任二等獎,北京大學深圳研究生院優秀教師,帶領班級獲北京大學優秀學風班等榮譽。

                                  在國內學術兼職方面:擔任中國電工技術學會電氣節能專委會副理事長兼秘書長、電力電子專委會理事;中國電源學會電子元器件專委會委員;深圳電氣節能研究會副秘書長。曾榮獲中國電工技術學會 “2010-2014先進學會工作者”。

                                  在國際學術兼職方面:創建IEEE電子器件與集成電路深圳分會并曾任首任主席,是IEEE TED, EDL,Materials today等多個行業內著名期刊的審稿人。長期擔任IEEE EDSSC(電子器件與集成電路會議)技術委員會委員,并擔任IEEE EDSSC 2017技術委員會聯合主席。

                              在半導體器件方向內,近幾年所帶課題組的具體研究內容為:

                              1.  用于EDA的新型仿真方法、工具及器件SPICE模型
                              a)  納米集成電路前沿器件結構與模型:FinFET、TFET(隧穿場效應管)、無結器件;
                              b)  新型存儲器件結構與模型:PCRAM(相變存儲器)、RRAM(阻變存儲);
                              c)  新型可靠性與存儲特性仿真方法、工具及模型方法。

                              2.  電力電子器件
                              a)  寬禁帶材料GaN(氮化鎵)、SiC(碳化硅)器件物理、結構與工藝;
                              b)  硅基IGBT器件結構與工藝。

                              作為第一負責人承擔的代表性項目:
                              1.國家重大科學研究計劃(973A類)課題:移動介質與高速緩存中的PCRAM消費性電子產品開發;
                              2.國家自然科學基金面上項目:相變存儲器件OTS與OMS物理機理和模型研究;
                              3.國家自然科學基金青年基金:納米FinFET器件的退化模型和失效機理研究;
                              4.廣東省自然科學基金面上項目:溝道垂直不均勻性、線粗糙和隨機摻雜對無結FinFET器件性能影響與模型研究;
                              5.深圳基礎研究杰出青年基金:新能源產業共性核心技術——高速大功率IGBT新型原胞結構與制造工藝研發。

                              給有意向來本實驗室同學的話:
                                  大學的根本目標是培養具有社會責任感獨立思維能力的人。二者缺一不可,缺乏社會責任感的人,能力越大,對社會危害越大;缺乏獨立思維能力的人,無論是人還是其工作都不具多大價值。
                                  你們來的目的是什么?如果是為了知識,電子圖書館或者google百度擁有最為豐富的知識,但很難直接用來解決問題;如果是為了技術,直接去公司會更有效率。用了人生中最黃金的幾年來學校,本身就是無比巨大的投入,如果不能得到最優價值的回報,那這個投入就是失敗,不如做出其它選擇。而學校所能幫助你們獲得的最大價值就是:提升獨立思維能力,從而能發現新的價值所在,進而定位、定義并解決。
                                  傳統意義上的好老師:告訴你人生經驗,幫你找人生“捷徑”,幫你找到未來熱門的技術,然后給你一個課題去研究,平時耐心的輔導,遇到困難幫你分解困難,甚至教會你其中的細節如何處理,最后讓你可以發表好文章,以優秀畢業生畢業。這樣的老師在我看來不是好老師,而是誤人子弟,因為沒有讓你學會自己如何去判斷選擇,自己如何去克服各種困難解決問題,這樣的學生到工作中后就會發現自己的能力極弱,而學生時代的優秀又讓他/她很難接受現實,往往難以獲得滿意的人生。
                                  因此你們來學校,主要目的不應該是找工作,或增長知識,或給老師做項目、發文章,而是提升自己的思維能力,實現能夠獨立分析問題,解決問題。參與項目,做科研寫文章,只是實現目的的載體,而不是根本目的,不要迷失的本末倒置。
                                  由于我們國家的教育模式普遍還是:考試題目都有標準答案(甚至連閱讀理解都只能讓幾億人理解出一個標準答案)。因此,我國的學生已經習慣了拿別人(各種報刊書籍,領導講話)的觀點當作自己的觀點,并以為自己真的就是這么想的,從而普遍喪失了獨立思考能力,這也是我們民族近年來創新性較弱的根本原因。
                                  因此,我鼓勵每一位同學去做自己感興趣的研究,并通過科研活動作為載體,去鍛煉自己獨立思維和定義問題、解決問題能力。本小組鼓勵學生畢業后出國,無論出去讀博士還是出去工作,都能夠提升同學們的人生視野,更充分認識世界,也有利于更好地認識自己,而這對每個人的一生都非常重要。如果不能走出去面對面的充份交流,哪怕在國內很努力去搜集各種新聞和報道,很努力從別人的角度去思考,還是難以客觀地理解多維世界,因為只能以自己現有的思維去猜測,就如同人類畫出的各種鬼怪都始終脫離不了人和動植物的形象一樣,視野和思維的提升需要來自意外角度的碰撞,這就是“讀萬卷書不如行千里路”。

                                  最后,希望大家能夠“因真理,得自由,以服務”,在視野和能力提升到一定程度后,我們無論在物質和精神層面,對生活對工作都擁有更大的自由,在自己獲得較為滿意生活的同時,要知道能力再強的人,離開社會不僅一事無成,生存都會成問題。我們“得自由”是幸運的,也更應該懷著感恩之心,利用自己“得真理”獲得的視野和能力,利用自己“得自由”獲得的相對自由的時間,服務社會。

                              發表的專著章節:

                              ♦ Lining Zhang, Chenyue Ma, Xinnan Lin, Jin.He, Mansun Chan, “Chapter 11 Modeling FinFETs for CMOS Applications” in “Toward Quantum FinFET”, Published by Springer 2013;

                              ♦ Xinnan Lin, Haijun Lou, Ying Xiao, Wenbo Wan, Lining Zhang, Mansun Chan, “Chapter: Silicon-Based Junctionless MOSFETs: Device Physics, Performance Boosters and Variations” in “Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges”, published by Springer Publisher, New York, USA, in press.

                              最近5年代表性論文列表:

                              1)  Hui Sun, Meihua Liu, Peng Liu, Xinnan Lin*, Xiaole Cui, Jianguo Chen, Dongmin Chen*,Performance optimization of lateral AlGaN/GaN HEMTs with cap gate on 150-mm silicon substrate, Solid-State Electronics,dx.doi.org/10.1016/j.sse.2017.01.006:28-32.

                              2)  Wei Chen, Kaiwen Li, Yao Wang, Xiyuan Feng, Zhenwu Liao, Qicong Su, Xinnan Lin*, Zhubing He*, Black Phosphorus Quantum Dots for Hole Extraction of Typical Planar Hybrid Perovskite Solar Cells, J. Phys. Chem. Lett., DOI: 10.1021/acs.jpclett.6b02843, 591-598.

                              3)  Ying Xiao, Xinnan Lin*, Haijun Lou*, Baili Zhang , Lining Zhang, Mansun Chan,”A Short Channel Double -Gate Junctionless Transistor Model Including the Dynamic Channel Boundary Effect”, IEEE TRANSACTION ELECTRON DEVICES, 2016, 63(12):4661-4667.

                              4)  “Hongyu He, Yuan Liu, Binghui Yan, Xinnan Lin, Shengdong Zhang, “Analytical Drain Current Model for Organic Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL.63,NO.11: 4423--4431.

                              5)  Yunpeng Dong, Lining Zhang*, Xiangbin Li, Xinnan Lin*, Mansun Chan*, A Compact Model for Double-Gate Heterojunction Tunnel FETs, IEEE Transactions on Electron Devices, VOL.63,NO.11: 4506-4513.

                              6)  Ying Xiao, Baili Zhang, Haijun Lou*, Lining Zhang, and Xinnan Lin*. A Compact Model of Subthreshold Current With Source/Drain Depletion Effect for the Short-Channel Junctionless Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(5):2176-2181.

                              7)  Xinnan Lin*, Baili Zhang, Ying Xiao, Haijun Lou*, Lining Zhang*, and Mansun Chan. Analytical Current Model for Long-Channel Junctionless Double-Gate MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(3):959-965.

                              8)  Chenyue Ma, Lining Zhang*, Xinnan Lin*, Mansun Chan, Universal framework for temperature dependence prediction of the negative bias temperature instability based in microscope pictures, Japanese Journal of Applied Physics, 55(4):044201 1-6,April 2016.

                              9)  Dan Li, Baili ZhangA, Haijun Lou, Lining Zhang, Xinnan Lin, and Mansun Chan, Comparative Analysis of Carriers Statistics on MOSFET and Tunneling FET Characteristics, IEEE JEDS, vol 3,No 6, Nov. 2015, 447-451.

                              10) Haijun Lou, Baili Zhang, Dan Li, Xinnan Lin*, Jin He* and Mansun Chan, “Suppression of subthreshold characteristics variation for junctionless multigate transistors using high-k spacers”, Semicond. Sci. Technol. 30 (2015) 015008 (7pp).

                              11) Jian Chen, Hang Meng, Frank X.C.Jiang, Xinnan Lin*, A Snapback-Free Shorted-Anode Insulated Gate Bipolar Transistor with an N-path Structure, Superlattices and Microstructures, 2015:201-209.

                              12) Yihan Chen, Kit Chu Kwong, Xinnan Lin*, Zhitang Song, and Mansun Chan*, 3-D Resistance Model for Phase-Change Memory Cell, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014/Vol 61, 4098-4104.

                              13) Haijun Lou, Dan Li, Yan Dong, Xinnan Lin*, JinHe*, Shengqi Yang and Mansun Chan, Suppression of tunneling leakage current in junctionless nanowire transistors, Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 125016 (6pp).

                              14) Haijun Lou, Dan Li, Yan Dong, Xinnan Lin*, Shengqi Yang, Jin He*, and Mansun Chan, Effects of Fin Sidewall Angle on Subthreshold Characteristics of Junctionless Multigate Transistors, Japanese Journal of Applied Physics 52 (2013) 104302.

                              15) Li Binghua, Frank X. C. Jiang, Li Zhigui, Lin Xinnan*, A trench accumulation layer controlled insulated gate bipolar transistor with a semi-SJ structure, Journal of Semiconductors, 2013/Vol.34/No.12.

                              16) Lining Zhang, Xinnan Lin*, Jin He*, and Mansun Chan*, "An Analytical Charge Model for Double-Gate Tunnel FETs", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 59, NO. 12, DECEMBER 2012.

                              17) Wei Yiqun, Lin Xinnan*, Jia Yuchao, Cui Xiaole,Zhang Xing and Song Zhitang, Contact size scaling of a W-contact phase-change memory cell based on numerical simulation, Journal of Semiconductors, VOL.33, NO.11,November 2012, 114006- 1-5.

                              18) Wei Yiqun, Lin Xinnan*, Jia Yuchao, Cui Xiaole,He Jin, Zhang Xing, A SPICE model for a phase-change memory cell based on the analytical conductivity model, Journal of Semiconductors, VOL.33, NO.11,November 2012, 114004- 1-5.

                              19) Haijun Lou, Lining Zhang, Yunxi Zhu, Xinnan Lin*, Shengqi Yang, Jin He* and Mansun Chan, “A Junctionless Nanowire Transistor With Dual-Material-Gate”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 59, NO. 7, JULY 2012, PP 1829~1836.

                              20) Lin Li, Lining Zhang, Xinnan Lin*, Jin He, Chi On Chui and Mansun Chan*, Phase-Change Memory with Multi-Fin Thin-Film-Transistor Driver Technology,IEEE Electron Device Letters, VOL. 33, NO. 3, MARCH 2012,405-407.


                              微納電子器件和集成技術實驗室

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