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                              • 陸磊

                              • 職稱:助理教授
                              • 電話:0755-2603 3149
                              • Email:lulei@pku.edu.cn
                              研究方向:1、薄膜晶體管;2、先進顯示;3、柔性電子及傳感器。

                              導師與研究領域、方向:

                              北京大學深圳研究生院,助理教授、博士生導師。國際電氣與電子工程師學會IEEE會員,國際信息顯示學會SID會員。蘇州大學微電子系學士及碩士(導師:王明湘教授),香港科技大學電子及計算機工程系博士(導師:王文 教授)。2015年至2017年,任香港科大電子計算機工程系研究員、賽馬會-香港科大高等研究院Postdoctoral Fellow(合作教授:郭海成 院士)。2017年至2019年,任香港科大研究助理教授,同時榮聘為高等研究院Junior Fellow(合作教授:鄧青云 院士)。2019年6月起加入北京大學深圳研究生院,研究領域包括:半導體器件,如金屬氧化物薄膜晶體管;先進顯示技術,如超高像素密度的OLED蒸鍍罩;柔性電子及傳感器系統,如基于金屬氧化物半導體的柔性傳感器系統。已在知名國際期刊和會議上發表論文70余篇(SCI論文20篇),已申請中、美、國際專利21項(授權8項)。

                              講授的課程:

                              超大規模集成電路工藝

                              近年來取得的主要成果:

                              Selected Papers

                              1. L. Lu, J. Li, H. Kwok, and M. Wong, “High-Performance and Reliable Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor for High-Resolution Displays,” IEEE Int. Electron Device Meet. (IEDM), San Francisco, pp. 802–805, Dec. 2016. (國際最頂級微電子學會議)

                              2. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018.

                              3. L. Lu*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018.

                              4. L. Lu, J. Li, H. S. Kwok, and M. Wong*, “Elevated-Metal Metal-Oxide (EMMO) Thin-Film Transistor: Technology and Characteristics,” IEEE Electron Device Lett., vol. 37, no. 6, pp. 728–730, 2016.

                              5. L. Lu, J. Li, and M. Wong*, “Thermally Induced Variation of the Turn-ON Voltage of an Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 11, pp. 3703–3708, 2015.

                              6. L. Lu* and M. Wong*, “A Bottom-Gate Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor With an Inherent Etch-Stop and Annealing-Induced Source and Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 2, pp. 574–579, 2015.

                              7. L. Lu*, J. Li, and M. Wong, “A Comparative Study on the Effects of Annealing on the Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors with Gate-Stacks of Different Gas-Permeability,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 8, pp. 841–843, 2014.

                              8. L. Lu* and M. Wong*, “The Resistivity of Zinc Oxide Under Different Annealing Configurations and Its Impact on the Leakage Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 4, pp. 1077–1084, 2014.

                              9. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “A New Observation of the Elliot Curve Waveform in Charge Pumping of Poly-Si TFTs,” IEEE Electron Device Lett., vol. 32, no. 4, pp. 506–508, 2011.

                              10. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “Geometric Effect Elimination and Reliable Trap State Density Extraction in Charge Pumping of Polysilicon Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no. 5, pp. 517–519, 2009.

                              Selected Patents

                              1. 陸磊,孫梽博,夏之荷,施閏霄,王文,郭海成,液晶顯示面板及其制作方法以及顯示設備,中國發明專利申請201910388622.9,2019年5月10日。

                              2. 陸磊,夏之荷,李佳鵬,王文,郭海成,顯示面板及其制作方法以及顯示設備,中國發明專利申請201910388640.7,2019年5月10日。

                              3. 陸磊,周瑋,王文,郭海成,Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors,美國專利申請15/889,995,2017年2月20日。

                              4. 李佳鵬,陸磊,王文,郭海成, 一種薄膜晶體管和顯示器面板,中國實用新型專利ZL 2017 2 1522557.7,授權,2017年11月15日。

                              5. 陸磊,王文,郭海成,一種薄膜晶體管及制造方法和顯示器面板,中國發明專利201610964470.9,授權,2016年10月28日。

                              6. 陸磊,王文,郭海成,一種電路結構及制作方法和顯示器面板,中國發明專利201610964428.7,授權,2016年10月28日。

                              7. 陸磊,王文,郭海成, 一種薄膜晶體管和顯示器面板,中國實用新型專利ZL 2016 2 1191789.3,授權,2016年10月28日。

                              8. 陸磊,王文,郭海成,一種薄膜晶體管和顯示器面板,中國實用新型專利ZL 2016 2 1190870.0,授權,2016年10月28日。

                              9. 陸磊,王文,郭海成,一種顯示器面板,中國實用新型專利ZL 2016 2 1188654.2,授權,2016年10月28日。

                              10. 陸磊,王文,郭海成,METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN REGIONS DOPED AT ROOM TEMPERATURE,美國專利9,960,281,授權,2015年2月9日。

                              11. 陸磊,王文,郭海成,METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH CHANNEL , SOURCE AND DRAIN REGIONS RESPECTIVELY CAPPED WITH COVERS OF DIFFERENT GAS PERMEABILITY,美國專利10,032,924,授權,2014年3月31日。

                              對計劃招收研究生的基本要求:
                              1、專業范圍: 微電子學,物理,電子信息科學與技術;
                              2、外語能力:英文六級或托福80、雅思6.0以上;
                              3、具有獨立思考和勤奮堅韌的品格,對探索知識的邊界、解決工程的挑戰感興趣。

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