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                              • 張立寧

                              • 職稱:助理教授
                              • 電話:A423
                              • Email:eelnzhang@pku.edu.cn,lnzhang@ieee.org
                              研究方向:電子設計自動化EDA、微納器件物理及建模、神經形態計算用器件。

                              導師與研究領域、方向:

                              西安交通大學  電子科學與技術      學士
                              香港科技大學  電子及計算機工程    博士
                              麥吉爾大學    物理系              訪問學者
                              香港科技大學  電子及計算機工程    研究助理教授 (至2017.12)
                              深圳大學      電子科學與技術      副教授       (至2020.03)

                              主要研究領域為新型半導體器件理論和電路應用,涉及微納尺度半導體器件的物理、器件模型和電路模擬方法、器件和電路的可靠性、神經形態電路的電子設計自動化。目前開展的課題包括先進工藝節點CMOS器件建模、新型低功耗器件如隧穿晶體管、鐵電負電容晶體管、電路模擬器的動態時間演進算法/模型降階算法等。

                              IEEE Senior Member, IEEE EDS Technical Committee Member (Compact Modeling), 國際會議IEEE EDTM 技術委員會成員/分會主席,IEEE JEDS 客座編輯(2018)。獲得IEEE EDSSC最佳論文獎(2019)、William Mong納米科學與技術杰出論文獎(2012)等。指導學生獲得IEEE EDSSC最佳學生論文獎(2018)。

                              近年來取得的主要成果:

                              專著/章節:
                              [1] Lining Zhang and Mansun Chan, Book Editors, Tunneling Field-Effect Transistor Technology, Springer, 2016
                              [2] Lining Zhang, Jun Huang, Mansun Chan, “Steep Slope Devices and TFETs,” Chapter 1 of Tunneling Field Effect Transistor Technology, Springer, 2016, pp. 1-31.

                              代表性期刊文章:
                              [1] Z. Rong, W. Cai, Y. Zhang, P. Wu, X. Li, Lining Zhang*, “On the enhanced Miller capacitance of source- gated thin film transistors,” IEEE Electron Device Letter, to appear. [一作為本科生]
                              [2] Z. Ahmed, Q. Shi, Z. Ma, Lining Zhang*, H. Guo, M. Chan, “Analytical Monolayer MoS2 MOSFET Modeling Verified by First Principle Simulations,” IEEE Electron Device Letter, vol. 41, no. 1, pp. 171-174, Jan. 2020
                              [3] Lining Zhang*, C. Ma, Y. Xiao, H. Zhang, X. Lin, M. Chan, “A dynamic time evolution method for concurrent device-circuit aging simulations,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 1, pp. 184-190, Jan. 2019
                              [4] Lining Zhang*, D. Song, Y. Xiao, X. Lin, M. Chan, “On the formulation of self-heating models for circuit simulations,” Journal of Electronic Device Society, vol. 6, no. 1, pp. 291-297, Feb. 2018
                              [5] Lining Zhang*, Mansun Chan, “SPICE Modeling of Double-Gate Tunnel-FETs Including Channel Transports,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 61, no. 2, pp. 300-307, Feb. 2014

                              代表性會議文章:
                              [1] Qing Shi, Lining Zhang*, Yu Zhu, Lei Liu, Mansun Chan, Hong Guo, “Atomic disorder scattering in emerging transistors by parameter-free first principle modeling,’ 2014 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), Dec. 15-17, 2014, San Francisco, USA
                              [2] Lining Zhang*, Jin He and Mansun Chan, “A Compact Model for Double-Gate Tunneling Field-Effect-Transistors and Its Implications on Circuit Behaviors”, 2012 IEEE International Electron Device Meeting (IEDM), Dec. 10-12, 2012, San Francisco, USA
                              [3] H. Hu, Lining Zhang, X. Lin, M. Chan, “Modeling the heating effects in PCM for circuit simulation accelerations,” IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, June.12-14, 2019, Xi’an, China [Best Paper Award]
                              [4] D. Song, Lining Zhang*, D. Liu, H. Zhang, X. Lin, “An improvement of BSIM for fast circuit simulations,” IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, June.6-8, 2018, Shenzhen, China [Best Student Paper Award]
                              [5] P. Wu, C. Ma, Lining Zhang*, X. Lin, M. Chan, “Investigation of nitrogen enhanced NBTI effect using the universal prediction model,” 2015 International Reliability Physics Symposium, Apr. 19 –23, Monterey, USA


                              博士后招收:
                              誠招相關方向的博士后進行合作研究。詳見學院網站的招聘啟事。


                              對計劃招收研究生的基本要求:
                              1、專業范圍: 微電子,物理,數學,計算機;
                              2、樂觀、主觀能動性、對解決工程問題有好奇心、有團隊合作精神

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